Ein- und zweireihige dimms, Architektur des speichersubsystems – HP ProLiant SL210t Gen 8-Server Benutzerhandbuch
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Nr.
Beschreibung
Definition
4
Nennspannung
L = Niederspannung (1,35V)
U = Ultraniedrige Spannung (1,25V)
Blindmodul oder ausgelassen =
Standard
5
Speichergeschwindigkeit
14900 = 1866-MT/s
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
6
DIMM-Typ
R = RDIMM (Registered)
E = UDIMM (Unbuffered mit ECC)
L = LRDIMM (lastreduziert)
Aktuelle Informationen zum unterstützten Speicher enthalten die QuickSpecs auf der HP Website
(
). Wählen Sie auf der Website
die geografische Region, und suchen Sie das Produkt dann über den Namen oder die Kategorie.
Ein- und zweireihige DIMMs
DIMM-Konfigurationsvoraussetzungen beruhen auf diesen Klassifizierungen:
●
Einreihiges DIMM: Ein Satz von Speicherchips, auf den beim Schreiben in den oder Lesen aus
dem Speicher zugegriffen wird.
●
Zweireihiges DIMM: Zwei einreihige DIMMs auf dem gleichen Modul, wobei nur jeweils eine
Reihe zugänglich ist.
Das Speicher-Steuersubsystem des Servers wählt beim Schreiben zum oder Lesen aus dem DIMM
die richtige Reihe aus.
Zweireihige DIMMs bieten die größte Kapazität mit der bestehenden Speichertechnologie. Unterstützt
die aktuelle DRAM-Technologie beispielsweise einreihige 2-GB-DIMMs, dann würde ein zweireihiges
DIMM eine Kapazität von 4 GB bieten.
Architektur des Speichersubsystems
Das Speichersubsystem in diesem Knoten ist in Kanäle aufgeteilt. Jeder Prozessor unterstützt vier
Kanäle, und jeder Kanal unterstützt zwei DIMM-Steckplätze.
Kanal
Steckplatz
Steckplatznummer
1
A
E
1
2
2
B
F
3
4
3
C
8
DEWW
Speicheroptionen 39